①真空蒸镀  在133.3×（10⁵～10⁶）Pa真空室内用电阻法或电子使膜层材料蒸发，沉积于基体材料表面上。由于气体分子平均自由程大于蒸发源到工件的距离，故只有面向蒸发源的工件部位得到积层。且由于蒸镀材料的原子只具有热动能，能量较小（约10^-1eV），故膜层与基体结合较差。

②真空溅射镀  以沉积膜材做靶材，并置于靶极上，在靶极接上3kV的负偏压，把氨气充入真空室，使真空度为133.3×（10^-2～10^-3）Pa，真空室内产生辉光放电后，Ar离子轰击靶材，产生溅射，沉积于靶材对面的工件上，于是形成覆层。靶材可以是纯金属或化合物，如通入反应气体，使之与纯金属靶材形成化合物，此称反应溅射。

③离子镀  它是真空蒸镀和真空溅射镀（气体放电）相结合的技术。工作时工件接上1～5kV偏压，并向真空室内通入Ar气，将真空度调至133.3×（10^-3～10^-4）Pa。产生辉光放电后，由蒸发源蒸发出来的金属原子的一部分被电离成离子，金属离子在电场作用下向基极（工件）加速运动，能量可达数千电子伏物，轰击工件表面，使之产生大量缺陷，且高能粒子以5～10nm/eV的深度注入基体，因而大大提高膜与基体间的结合力。由于基极（工件）带负高电压，极易吸引金属离子，并由于低真空气体散射的结果，大大提高了膜的绕镀能力，使镀膜易于均匀。